RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link