RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link