RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link