RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2361
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link