RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2381
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link