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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2381
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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