RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link