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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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