RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2670
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link