RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link