RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link