RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link