RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link