RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14200
Wokół strony 1.8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
25600
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2458
3190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link