Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

35 62

Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.8 7.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.7 5.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1612 3306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns