RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link