RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link