RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2815
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link