RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link