RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link