RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link