RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
66
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
66
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link