RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
62
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
59
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
1968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link