RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link