RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2858
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link