RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2700
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link