RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
62
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
49
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link