RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3115
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link