RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3010
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link