RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link