RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link