RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2675
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link