RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2675
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link