RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
62
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
21
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link