RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2764
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link