RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2234
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link