RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link