RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link