RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link