RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
62
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
39
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link