RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
62
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
34
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2789
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link