RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3715
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link