RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link