RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
2083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link