Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 28

Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.6 10.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

18.4 7.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 8500

Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1668 3826

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns