RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
2670
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link