RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wynik ogólny
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
4.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
4.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
4.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
4.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1046
3321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link