RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
3453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link