RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link