RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link