RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link