RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link