RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link